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Module HVIGBT série XB (type 3,3 kV/1 500 A)

Le nouveau module HVIGBT de la série XB 3,3 kV/1500 A utilise des éléments IGBT intégrant la diode RFC (Relax Field of Cathode) exclusive de Mitsubishi Electric et la structure CSTBT¹ (transistor bipolaire à grille enterrée ) stockée dans un support. En particulier, le module réduit la perte totale de commutation d’environ 15 %² par rapport aux modèles précédents, ce qui contribue à une plus grande efficacité des onduleurs. Il augmente également la tolérance dans la zone de sécurité de récupération inverse (RRSOA) d’environ 25 %³ par rapport aux modèles précédents, améliorant ainsi encore la fiabilité de l’onduleur. En outre, en utilisant une nouvelle structure de relaxation du champ électrique⁴ et une structure de contrôle de charge de surface⁵ dans la zone de terminaison de la puce, Mitsubishi Electric a réduit la taille de la zone d’environ 30 % tout en obtenant une résistance à l’humidité environ 20 fois⁶ supérieure à celle des produits existants, contribuant ainsi à un fonctionnement plus stable des onduleurs utilisés dans des environnements à forte humidité. En améliorant davantage l’efficacité et la fiabilité des onduleurs pour les équipements industriels de grande taille fonctionnant dans divers environnements, le module devrait contribuer aux efforts visant à atteindre la neutralité carbone.